| Частота | 0.4-500МХз |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 50Ω |
| Операционная Температура | -40℃ к 85℃ |
| Течение DC | 30mA |
| Коэффициент | 1:1 |
| Сила RF | 0.25w |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 75Ω |
| Частота | 5-3000МХз |
| Течение DC | 30mA |
| Операционная Температура | -40℃ к 85℃ |
| Частота | 5-3000МХз |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 75Ω |
| Сила RF | 0.25w |
| Течение DC | 30mA |
| Операционная Температура | -40℃ к 85℃ |
| Название продукта | Ядр RF |
|---|---|
| Материал | Nizn |
| Применение | Подавление EMI |
| Размер | 2mm | 32mm |
| Использованный | Трансформатор балун |
| Частота | 50-1250 МГц |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 75Ω |
| РФ мощность | 0,25 Вт |
| постоянный ток | 30 мА |
| Рабочая температура | -40 ℃ до 85 ℃ |
| Частота | 1-1250 МГц |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 75Ω |
| Вносимая потеря | 1,5 дБ Макс. |
| Потеря муфты R | минута 18dB |
| Рабочая температура | -40 ℃ до 85 ℃ |
| Коэффициент поворотов | 1:1 |
|---|---|
| Вносимая потеря | 1.0дБ Макс @1-100МХз |
| OCL | смещение ДК 350уХ минимальное 8мА (линия сторона) |
| Скорость | 1000Base-T |
| Высок-Бак | 1500Vrms |
| Частота | 5-1500 МГц |
|---|---|
| Потеря возврата ввода | Мин. 16,0 дБ (тип. 23 дБ) |
| Выходной возврат потерь | Мин. 16,0 дБ (тип. 25 дБ) |
| Возвратные потери муфты | Мин. 16,0 дБ (тип. 22 дБ) |
| Рабочая температура | -40 ℃ до 85 ℃ |
| Частота | 5-3000 МГц |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 75Ω |
| РФ мощность | 0,25 Вт |
| постоянный ток | 30 мА |
| Рабочая температура | -40 ℃ до 85 ℃ |
| Частота | 5-1250 МГц |
|---|---|
| Характеристический импеданс | 75Ω |
| РФ мощность | 0,5 Вт |
| постоянный ток | 30 мА |
| Соотношение импеданции | 1: 2 |