| Провод | Плоская медная проволока |
|---|---|
| Диапазон индуктивности | 3.3uH до 470uH |
| Частота испытаний | 100 кГц,0.1В |
| Толерантность | ± 20% |
| Рабочая температура | -40°C - +125°C |
| Провод | Плоская медная проволока |
|---|---|
| ряд индуктивности | 1.0uH до 10uH |
| Диапазон индуктивности | 1.0uH до 10uH |
| Частота испытаний | 100 кГц, 1 В |
| Частота испытаний | 100 кГц, 1 В |
| Текущий | 30A |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 180uH |
| Монтаж | ПОГРУЖЕНИЕ |
| Проволока | Плоская медная проволока |
| Температура хранения | -40℃ к +125℃ |
| Настоящий | 60A |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 2.2uH |
| Установка | ПОГРУЖЕНИЕ |
| Вещество активной зоны | Ядр феррита MnZn |
| Температура хранения | -40℃ к +125℃ |
| Настоящий | 35A |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 200uH |
| Установка | ПОГРУЖЕНИЕ |
| Провод | Плоская медная проволока |
| Температура хранения | -40℃ к +125℃ |
| Провод | Плоская медная проволока |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 3.3uH к 50uH |
| Частота теста | 100KHz, 1V |
| Допуск | ±20%, ±30% |
| Рабочая температура | -40℃ - +105℃ |
| Провод | Плоская медная проволока |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 2.2uH к 10uH |
| Частота теста | 100KHz, 1V |
| Допуск | ±20%, ±30% |
| Рабочая температура | -40℃ - +105℃ |
| Настоящий | 80A |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 1.6uH |
| Установка | ПОГРУЖЕНИЕ |
| Размер пусковой площадки | 20.0*20.0mm |
| Температура хранения | -40℃ к +125℃ |
| Ряд индуктивности | 0.5uH к 47uH |
|---|---|
| Допуск | ±20% |
| Частота теста | 100KHz, 0.25V |
| Настоящий | до 40A |
| провод | Плоская медная проволока |
| Настоящий | 57A |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 22 nH до 257 nH |
| Установка | SMD |
| провод | Плоская проволока |
| Температура хранения | -40℃ к +125℃ |
