| Установка | SMD |
|---|---|
| сопротивление | Постоянное сопротивление |
| Применение | ДСК, ДВК, ПДА, ДВД и ХДД |
| Упаковка | Поверхностного монтажа |
| Тип | индуктор обломока |
| Ряд индуктивности | 100nH к 330nH |
|---|---|
| Настоящий ряд | 100А |
| установка | СМБ |
| Размер пусковой площадки | 10.0x6.0x12.0mm Макс |
| Температура хранения | -40℃ к +125℃ |
| Индуктивность | 1,0 к 100уХ |
|---|---|
| Течение до | 2.7A |
| Базы | Основание СМД пластиковое |
| Размер пусковой площадки | 6.3*6.3мм |
| Рабочие температуры | -40 к 105°К |
| Значение индуктора | Фиксированный индуктор |
|---|---|
| Структура Маньетизер | Катушка феррита |
| Работая частота | Высокая Частота |
| Имя Продуктор | SMD мощности индуктора |
| Аттестация качества | ISO 9001: 2008 |
| настоящий ряд | 3А к 41А |
|---|---|
| Ряд индуктивности | 47нХ к 22уХ |
| Установка | SMT |
| частота ест | 100КХз, 0.25В |
| Значение индуктора | Фиксированный индуктор |
| Имя | Защищаемое Inducotr |
|---|---|
| Ядр | Тип ядр DR феррита |
| Тип | Тип индуктор погружения радиальный дроссельной катушки |
| основание | Основание SMD пластиковое |
| РАБОЧИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ | -40 к 105°C |
| Природа деятельности | Индуктор силы SMD |
|---|---|
| Тип | Защищаемый индуктор |
| Ряд индуктивности | 0.47uH к 330uH |
| Настоящий ряд | 0.38A к 13.8A |
| Рабочая температура | -40℃ к +85℃ |
| Природа деятельности | Индуктор силы SMD |
|---|---|
| Тип | Защищаемый индуктор |
| Ряд индуктивности | 0.47uH к 330uH |
| Настоящий ряд | 0.38A к 13.8A |
| Рабочая температура | -40℃ к +85℃ |
| Размер | 5.6*5.8*3.8мм |
|---|---|
| Повороты | 2*1Ц |
| Материал | НиЗн |
| условие применения | EMC/EMI |
| Импеданс | 25Ω Min.@100MHz |
| Защищать | Никакой |
|---|---|
| Основное вещество | Керамическая основа |
| Ядр | Ядр феррита DR/RI |
| Упаковка | вьюрок |
| Температура хранения | -40 к +125℃ |